Applied Materials stellt Ätzsystem für EUV-Lithografie-Fotmasken vor
Applied Materials hat sein neues System Applied Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch vorgestellt, das eine entscheidende Hürde für die Einführung der EUV-Lithografie überwindet.
Santa Clara, Kalifornien – Applied Materials, Inc. hat das Applied Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch System eingeführt, das eine wesentliche Herausforderung bei der Einführung der EUV-Lithografie (Extreme Ultraviolet) bewältigt. Das System ermöglicht das präzise Ätzen von EUV-Fotmasken mit nanometergenauer Genauigkeit und verbesserter Fehlerleistung, ein entscheidender Schritt für die Herstellung von Halbleiterchips der nächsten Generation.
Die neue Technologie adressiert die besonderen Herausforderungen beim Ätzen neuer Materialien und komplexer Schichtstapel, die für EUV-Masken erforderlich sind. Im Gegensatz zu herkömmlichen Masken, die Licht durchlassen, verwendet die EUV-Lithografie eine Wellenlänge von 13,5 nm, bei der Materialien undurchsichtig sind. Dies erfordert reflektierende Spiegelschichten zur Projektion von Mustern. Das Tetra EUV-System ist darauf ausgelegt, strenge Spezifikationen für Mustergenauigkeit, Oberflächenbeschaffenheit und Fehlerfreiheit zu erfüllen, die für hohe Ausbeuten in der reflektiven Lithografie unerlässlich sind.
Applied Materials gibt an, dass bereits mehrere Systeme bei führenden Maskenherstellern installiert wurden. Das Unternehmen bekräftigte seine fortlaufenden Investitionen in Technologien, die seine Kunden unterstützen und Designknoten der nächsten Generation ermöglichen. Die Einführung der EUV-Lithografie wird voraussichtlich die Produktion von Hochleistungs-Chips beschleunigen.
Das Tetra EUV-System ist Teil des umfassenden Lösungsportfolios von Applied Materials zur Optimierung von Fotomasken- und Lithografieprozessen. Das Unternehmen bietet zudem einen umfangreichen globalen Service und Support zur Maximierung der Systemverfügbarkeit für seine Kunden.