Asgard erreicht 8800 MT/s Übertaktung mit chinesischen DRAM-Partikeln
Asgard kündigte an, eine Übertaktungsrate von 8800 MT/s mit DDR5-Speichermodulen unter Verwendung heimischer 3G8 DRAM-Partikel auf einem Asus Z890 Mainboard erreicht zu haben.
Der chinesische Speicherhersteller Asgard hat angekündigt, mit seinen DDR5-Speichermodulen, die aus heimischen 3G8 DRAM-Partikeln gefertigt werden, eine Übertaktungsrate von 8800 MT/s erreicht zu haben. Der Test wurde auf einem Asus ROG MAXIMUS Z890 APEX ENCORE Mainboard durchgeführt, wobei die Speicherzeiten auf CL46-56-56-132 eingestellt wurden.
Die betreffenden Module, Teil der Asgard Valkyrie Gen II Yaoyao RGB und Heimdall Yaoyao Special Commemorative Edition-Serien, sind für 6000 MT/s ausgelegt und verwenden 24-GB-Konfigurationen (2x24 GB). Die erreichte Geschwindigkeit von 8800 MT/s übersteigt die Nennleistung erheblich.
Bemerkenswert ist, dass das verwendete Asus ROG MAXIMUS Z890 APEX ENCORE Mainboard ein 2 DIMM-Design aufweist, was im Allgemeinen für hohe Speicherübertaktungen günstiger ist als 4 DIMM-Konfigurationen. Dies deutet darauf hin, dass die heimischen 3G8 DRAM-Partikel weiteres Potenzial für erhöhte Datenübertragungsraten auf Intel-Plattformen bergen könnten.
Diese Leistung stellt eine Entwicklung in Chinas heimischen Halbleiterkapazitäten dar. Asgards Erfolg weist auf ein wachsendes Potenzial für lokal bezogene Speicherkomponenten in Hochleistungsrechenanwendungen hin.