GaNrich erweitert Portfolio für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf 40–1200 Volt
Das taiwanesische Unternehmen GaNrich baut sein Angebot an Galliumnitrid-Bauteilen aus, um Anwendungen von KI-Rechenzentren bis zur Elektromobilität zu bedienen.
Die GaNrich Semiconductor Corporation hat ihr Portfolio an Leistungshalbleitern auf Galliumnitrid-Basis (GaN) auf ein Spektrum von 40 bis 1200 Volt ausgeweitet. Durch die Nutzung von GaN-on-Si- sowie GaN-on-Sapphire-Fertigungsplattformen adressiert das Unternehmen Anwendungsbereiche wie KI-Datenzentren, Batteriemanagementsysteme und elektrische Antriebsstränge.
Das Ziel der Produktreihe ist es, die Effizienzgrenzen konventioneller Silizium-Bauteile zu überwinden. GaNrich setzt dabei auf eine direkte Austauschbarkeit (Drop-in-Replacement) mit Standardkomponenten, um die Design-Komplexität für Kunden zu reduzieren. Zukünftig plant das Unternehmen den Einsatz von 1200-Volt-Lösungen für bidirektionale Schaltvorgänge, wodurch diese in Leistungsbereiche vorstoßen, die bisher überwiegend von Siliziumkarbid (SiC) abgedeckt wurden.
GaNrich betont zudem seine Unabhängigkeit von chinesischen Lieferketten. Das Unternehmen koordiniert seine Produktion und das Design-Ökosystem primär über Standorte in Taiwan. Laut Unternehmensangaben wurden die Halbleiter bereits von Partnern in der Automobilindustrie und der Energiewirtschaft validiert und befinden sich in der Markteinführungsphase.