GaNrich erweitert Portfolio an Galliumnitrid-Leistungshalbleitern
GaNrich Semiconductor führt eine neue Palette an 40V-1200V GaN-Bauelementen ein, die für KI-Rechenzentren und die Elektromobilität optimiert sind.
Das taiwanesische Unternehmen GaNrich Semiconductor Corporation hat sein Portfolio an Galliumnitrid-basierten (GaN) Leistungshalbleitern ausgebaut. Die Produktreihe deckt nun einen Spannungsbereich von 40V bis 1200V ab und basiert sowohl auf GaN-on-Si- als auch auf GaN-on-Sapphire-Plattformen. Die Komponenten zielen primär auf Anwendungen wie KI-gestützte Rechenzentren, Robotik und elektrische Antriebssysteme ab.
Um die Marktakzeptanz zu beschleunigen, hat GaNrich die Bauelemente so konzipiert, dass sie als Drop-in-Ersatz für herkömmliche Silizium-Komponenten dienen. Diese mechanische und elektrische Kompatibilität soll es Entwicklern ermöglichen, die Effizienz ihrer Stromversorgungssysteme zu steigern, ohne die bestehende Schaltung grundlegend neu entwerfen zu müssen. Zudem plant das Unternehmen die Einführung bidirektionaler Schaltprodukte.
In Bezug auf die Lieferkette verfolgt GaNrich einen Ansatz, der den Fokus auf Fertigungsressourcen in Taiwan sowie globale Partnerschaften legt. Damit reagiert das Unternehmen auf den Wunsch westlicher Kunden nach einer diversifizierten Lieferstruktur abseits des chinesisch dominierten Marktes. Das Unternehmen meldet bereits erste Validierungen seiner Produkte durch Industriekunden aus der Automobil- und Energiesektoren.