GaNrich erweitert Portfolio für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter
Der Halbleiterhersteller GaNrich erweitert sein Angebot um GaN-Leistungskomponenten im Bereich von 40 bis 1200 Volt für Anwendungen in Rechenzentren und der E-Mobilität.
Die GaNrich Semiconductor Corporation mit Sitz in Taiwan hat ihre Produktpalette an Galliumnitrid-Leistungshalbleitern (GaN) auf einen Spannungsbereich von 40 bis 1200 Volt ausgeweitet. Die Komponenten kommen in Bereichen wie KI-Rechenzentren, Batteriemanagementsystemen, Robotik und der Automobilindustrie zum Einsatz.
GaNrich nutzt sowohl GaN-auf-Silizium- als auch GaN-auf-Saphir-Plattformen, um eine höhere Effizienz und Leistungsdichte zu erreichen. Die Bauelemente sind so konzipiert, dass sie herkömmliche Siliziumlösungen durch eine einfache Austauschbarkeit (Drop-in-Replacement) ersetzen können. Durch die Integration von Gate-Treibern in das Gehäuse zielt das Unternehmen zudem auf eine Vereinfachung des Schaltungsdesigns ab.
Strategisch positioniert sich GaNrich als Alternative zu bestehenden globalen Lieferketten, die derzeit stark konzentriert sind. Durch den Aufbau eines Fertigungsökosystems in Taiwan und die Zusammenarbeit mit internationalen Partnern möchte der Hersteller eine wettbewerbsfähige Versorgungsoption für Kunden in den USA und Europa bieten.
Zukünftig plant das Unternehmen die Einführung eines bidirektionalen 1200-Volt-Schalters, der eine einstufige Leistungswandlung ermöglichen soll. Erste Produkte des erweiterten Portfolios wurden bereits von industriellen Kunden validiert und finden Anwendung in der Energiewandlung und Speicherung.