Kioxia-WD startet Musterlieferungen für 332-lagigen BiCS10 3D NAND-Flash
Kioxia und Western Digital haben mit der Auslieferung von Mustern für ihre 10. Generation BiCS FLASH 3D NAND mit 332 Lagen begonnen. Das erste Produkt ist ein 1Tb TLC-Speicherchip.
Das Kioxia-WD-Konsortium hat den Beginn der Musterlieferungen für seine 10. Generation BiCS FLASH 3D NAND bekannt gegeben, die 332 Lagen aufweist. Das erste Produkt ist ein 1Tb TLC (Triple-Level Cell) Speicherchip.
Hergestellt in Kioxias Fabrik 2 in Kitakami, Iwate, Japan, setzt BiCS10 weiterhin auf die Integration wichtiger Technologien wie CMOS-Direct Bonded Array (CBA) und Punch Through Spacer (OPS), die bereits in der BiCS8-Generation eingeführt wurden. Diese Stapeltechnologie ermöglicht höhere Dichten und verbesserte Leistung.
Das erste 1Tb TLC-Gerät unterstützt Toggle DDR6.0 und SCA-Protokolle sowie PI-LTT-Technologie. Es erreicht eine Schnittstellengeschwindigkeit von 4800 MT/s. Der Speicher verfügt über eine Speicherdichte von 29+ Gb/mm², was einer Steigerung von 59 % gegenüber der vorherigen BiCS8-Generation entspricht.
Es werden signifikante Verbesserungen im Stromverbrauch und der Energieeffizienz verzeichnet. Der Stromverbrauch für die Ausgabe ist um 34 % reduziert, bei einer 30 %igen Verbesserung der Energieeffizienz beim Lesen. Der Stromverbrauch für die Eingabe ist um 10 % gesunken, was zu einer 18%igen Steigerung der Energieeffizienz beim Schreiben führt. Dieser Fortschritt markiert einen Meilenstein bei der Entwicklung effizienterer und leistungsfähigerer Speicherlösungen.