MemSilicon schließt Fertigung von 1 Gb RRAM-Chip "MountTai 2026" ab

Das chinesische Halbleiterunternehmen MemSilicon hat den Abschluss der Fertigung seines ersten 1 Gigabit (Gb) Resistive Random-Access Memory (RRAM)-Chips mit dem Namen "MountTai 2026" bekannt gegeben. Der Chip verwendet eine 1T4R-Speicherstruktur und wird unter Verwendung eines 28-Nanometer (nm) CMOS-Prozesses hergestellt.

Laut Unternehmensangaben erreicht der Chip eine Speicherdichte von 30 Megabit pro Quadratmillimeter (Mb/mm²). Der "MountTai 2026"-Chip integriert zudem eine Fehlerkorrekturschaltung auf dem Chip und bietet eine Zugangsverzögerung von weniger als 20 Nanosekunden (ns). Die Validierung des Chips ist derzeit im Gange.

MemSilicon, gegründet im Mai 2024, konzentriert sich auf die Entwicklung fortschrittlicher nichtflüchtiger Speicherlösungen zur Bewältigung von Engpässen in der Datenverarbeitung. Das Unternehmen hat seit seiner Gründung erhebliche Finanzmittel in zwei Finanzierungsrunden gesichert.

Die erfolgreiche Fertigung von "MountTai 2026" stellt einen wichtigen Fortschritt für MemSilicon dar, indem die Hochdichte-Speichertechnologie von der Forschung hin zur Produktrealisierung im Gigabit-Maßstab vorangetrieben wird.