Ningbo VET Energy liefert hochreine Graphitheizer für Halbleiter-Epitaxie

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd liefert hochreine Graphitheizer, die für Hochtemperatur-Halbleiterprozesse wie die metallorganische Gasphasenabscheidung (MOCVD) und die Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie entwickelt wurden.

Diese Heizelemente sind für den stabilen Betrieb bei Temperaturen über 1600°C und in korrosiven Prozessgasen konzipiert, wo eine präzise Steuerung des Temperaturfeldes entscheidend für die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke, die Dotierungskonzentration und den Wafer-Ertrag ist. Das Unternehmen gibt an, dass seine isotropen Graphitheizer mit einer 150 µm dicken CVD-SiC-Beschichtung erhebliche Verbesserungen in der dritten Generation der Halbleiterfertigung gezeigt haben, mit einer Reduzierung von Defekten um 85 % und jährlichen Einsparungen von 85.000 €.

Durch hohe Wärmeleitfähigkeit und einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten sorgen die Graphitheizer für eine gleichmäßige Wärmeverteilung. Sie verfügen über eine Mehrzonen-Temperaturregelung zur Minimierung von Schwankungen und zur Vermeidung von Verunreinigungen. Die SiC-Beschichtung schützt den Heizer vor aggressiven Gasen und verlängert seine Lebensdauer, wodurch die Empfindlichkeit von Epitaxieprozessen gegenüber metallischen Verunreinigungen und Partikelabwurf adressiert wird.