RaidSonic Nutzt Galliumnitrid für Schnellladung

RaidSonic Technology GmbH integriert Galliumnitrid (GaN) in seine Ladeprodukte, was schnellere Ladezeiten und eine Reduzierung der Gerätegröße ermöglicht.

Traditionell wurde Silizium als Halbleitermaterial in Netzteilen verwendet, doch seine technologische Entwicklung stieß an Grenzen. Galliumnitrid bietet deutliche Vorteile, darunter eine höhere Effizienz bei der Stromleitung und die Notwendigkeit weniger Komponenten. Dies führt zu kleineren und leistungsfähigeren Ladegeräten.

Die GaN-Technologie erlaubt die volle Ausschöpfung schneller Ladestandards wie USB-C. Nutzer können kompatible Geräte schneller laden als über ältere USB-A-Anschlüsse. Zudem erzeugen GaN-Ladegeräte weniger Wärme, was Energie spart und bis zu 20 Prozent Energieeinsparungen im Vergleich zu siliziumbasierten Ladegeräten ermöglichen kann.

Obwohl GaN-Ladegeräte noch nicht weit verbreitet sind, wird prognostiziert, dass sie bis 2025 mehr als 50 Prozent der neu produzierten Ladegeräte ausmachen werden. RaidSonics Produkte, wie das IB-PS104-PD, umfassen Mehrfach-Ladegeräte mit Unterstützung für Power Delivery 3.0, die sowohl USB Typ-C- als auch Typ-A-Anschlüsse bieten und für Reisen zusätzliche Adapterflexibilität mitbringen.