RaidSonic setzt auf Galliumnitrid-Technologie bei Netzteilen

Die RaidSonic Technology GmbH integriert zunehmend Galliumnitrid (GaN) als Halbleitermaterial in ihre Netzteile. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Komponenten ermöglicht GaN eine höhere Leistungsdichte und eine verringerte Wärmeentwicklung. Laut Angaben des Unternehmens führt dies zu einer verbesserten Energieeffizienz, wodurch der Stromverbrauch im Vergleich zu konventionellen Geräten um bis zu 20 Prozent gesenkt werden kann.

Mit dem IB-PS104-PD hat das Unternehmen ein Ladegerät eingeführt, das die Power Delivery 3.0-Technologie und GaN-Komponenten nutzt, um bis zu 100 Watt Ladeleistung bereitzustellen. Das Design zielt darauf ab, vier Anschlüsse in einem kompakten Gehäuse unterzubringen, was insbesondere für die mobile Nutzung konzipiert ist.

Der Trend zur GaN-Technologie in der Elektronikindustrie ist deutlich: Prognosen von TrendForce zufolge werden bis 2025 mehr als 50 Prozent der neu produzierten Ladegeräte auf dieser Technologie basieren. RaidSonic reagiert damit auf den wachsenden Bedarf nach effizienteren und platzsparenderen Lademöglichkeiten für moderne IT-Endgeräte.