Forscher entwickeln neues Modell zur Analyse von Halbleiterdefekten
Wissenschaftler der Chalmers University of Technology haben eine Methode zur präziseren Berechnung von Materialfehlern unter Temperatureinfluss vorgestellt.
Bisherige Standardmodelle zur Analyse von Defekten in Halbleitermaterialien basieren meist auf Berechnungen am absoluten Nullpunkt. Dies vernachlässigt jedoch, wie sich diese atomaren Defekte unter realen Betriebsbedingungen verhalten. Ein Forschungsteam der Chalmers University of Technology hat nun ein effizienteres Berechnungsmodell vorgestellt.
Unter der Leitung von Professor Julia Wiktor setzt die Gruppe maschinelles Lernen ein, um die zeitaufwendigen Berechnungen in einen praxistauglichen Rahmen zu übertragen. Die Ergebnisse, die in der Fachzeitschrift npj Computational Materials veröffentlicht wurden, zeigen, dass sich Defektenergieniveaus bei Temperaturänderungen signifikant verschieben können. Diese Verschiebung beeinflusst maßgeblich die elektrischen Eigenschaften der Materialien.
Die neue Methode ermöglicht eine genauere Vorhersage darüber, wie sich atomare Unregelmäßigkeiten in verschiedenen Materialklassen auswirken. Damit stellt das Modell ein Werkzeug für die Materialentwicklung dar, um das Verhalten von Halbleitern unter realen Einsatzbedingungen besser zu verstehen.