Samsung Electronics entwickelt KI-optimierte NAND-Flashspeicher

Samsung Electronics entwickelt Berichten zufolge neue NAND-Flashspeicherlösungen, die für Arbeitslasten im Bereich künstliche Intelligenz (KI) konzipiert sind. Laut ZDNET Korea arbeitet das Unternehmen an den Speicherprodukten zNAND-T und zNAND-I, die das bereits angekündigte zNAND-O ergänzen werden.

Das Modell zNAND-T, dessen "T" für "Throughput" (Durchsatz) steht, wurde entwickelt, um die Lese- und Schreibbandbreite für KI-Halbleiter in Rechenzentren zu optimieren. Diese Variante verwendet TSV-gestapelte NAND-Dies, um die Leistung in anspruchsvollen Datenumgebungen zu verbessern.

Im Gegensatz dazu konzentriert sich das Modell zNAND-I, wobei "I" für IOPS (Input/Output Operations Per Second) steht, auf die Verbesserung der Leistung bei häufigen Lese- und Schreibvorgängen für kleine Datenmengen. Dies ist besonders vorteilhaft für Szenarien wie das Auslagern von KV-Caches.

Diese drei zNAND-Varianten stellen eine Abkehr von Allzweck-NAND-Flashspeichern hin zu stärker kundenspezifischen Lösungen dar. Diese Spezialisierung zielt darauf ab, die sich entwickelnden und spezifischen Anforderungen verschiedener Anwendungen, insbesondere im schnell wachsenden Bereich der KI, zu erfüllen.