Samsung baut DRAM-Marktführerschaft aus, Micron rückt an SK Hynix heran

Samsung Electronics hat seine führende Position auf dem globalen DRAM-Speichermarkt im letzten Quartal gefestigt und seinen Anteil laut Counterpoint Research um einen Prozentpunkt auf 39 % ausgebaut. Der Konkurrent Micron Technology erreichte indes einen Marktanteil von 25 % und liegt damit nur knapp hinter SK Hynix mit 26 %.

SK Hynix verzeichnete trotz eines signifikanten Umsatzwachstums im Jahresvergleich einen Rückgang seines Marktanteils um ein Drittel. Analysten führen dies auf sinkende Durchschnittspreise für HBM-Speicher und die Auswirkungen früher abgeschlossener langfristiger Verträge zurück.

Samsung profitiert sowohl von der starken Nachfrage im traditionellen DRAM-Markt als auch von seinem wachsenden Anteil im HBM-Segment. Micron hingegen verzeichnete eine fünffache Umsatzsteigerung im DRAM-Bereich im Vergleich zum Vorjahreszeitraum.

Neben den drei großen Akteuren meldeten auch der chinesische Hersteller Changxin Memory und Nanya Technology aus Taiwan erhebliches Umsatzwachstum. Es wird erwartet, dass sich Changxin Memory kurzfristig als vierter großer DRAM-Akteur etablieren wird.