SiC-Keramik-Wafer-Boote verbessern Halbleiterfertigung

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. hat neue Wafer-Boote aus Siliziumkarbid (SiC)-Keramik vorgestellt, die darauf abzielen, die Effizienz und Zuverlässigkeit in der Halbleiterfertigung zu steigern.

Diese SiC-Boote ersetzen zunehmend traditionelle Quarzträger, insbesondere in der 300-mm-Wafer-Herstellung, der Leistungshalbleiterproduktion und der Fertigung von Halbleitern der dritten Generation. SiC-Material bietet eine signifikant bessere Wärmeleitfähigkeit (120–200 W/m·K im Vergleich zu Quarz mit 1,4 W/m·K) und mechanische Steifigkeit. Dies führt zu einer gleichmäßigeren Temperaturverteilung im Ofen, reduzierten thermischen Spannungen und weniger Defekten in den Halbleiter-Wafern.

Diffusions- und Oxidationsprozesse sind grundlegende Schritte in der Halbleiterfertigung, bei denen Temperaturen von etwa 900°C bis 1200°C, bei Leistungshalbleitern potenziell sogar über 1300°C, auftreten können. Traditionelle Quarz-Wafer-Boote können sich unter diesen hohen Temperaturen verformen oder erweichen, was die Prozesswiederholbarkeit beeinträchtigt. SiC-Wafer-Boote behalten ihre Form und Dimensionsgenauigkeit über längere Zeiträume bei und gewährleisten so gleichmäßige Waferabstände und einen stabilen Gasfluss während des gesamten Prozesses.

Die SiC-Wafer-Boote werden mit verschiedenen Technologien hergestellt, einschließlich rekristallisiertem Siliziumkarbid (RSiC), das hohe Reinheit und thermische Stabilität ohne signifikante Sinterhilfsmittel bietet. Dies minimiert das Kontaminationsrisiko in Halbleiterumgebungen. Das Unternehmen hebt die hohe Härte und chemische Beständigkeit des Materials hervor, was es für anspruchsvolle Hochtemperaturanwendungen geeignet macht.

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. zielt darauf ab, hochwertige SiC-Komponenten zu liefern, die die wachsende Nachfrage der Industrie nach verbesserter Prozesskontrolle und höheren Ausbeuten in der Halbleiterfertigung erfüllen.