Siliziumkarbid-Beschichtungen verbessern SiC-Epitaxie-Wachstumsprozesse

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. hat Graphit-Substrate mit Siliziumkarbid-(SiC)-Beschichtung entwickelt, die darauf abzielen, die Qualität und Lebensdauer von Siliziumkarbid-Epitaxie-Wachstumsprozessen zu verbessern. Diese Beschichtungen erfüllen die wachsenden Anforderungen der Halbleiterindustrie, bei denen die Qualität von Epitaxieschichten die Leistung von Halbleiterbauelementen direkt beeinflusst.

Epitaxieschichten werden durch einen Präzisionsprozess auf Wafer-Substraten gezüchtet, und ihre Qualität ist entscheidend für die Herstellung von Leistungshalbleitern wie Schottky-Dioden, MOSFETs und IGBTs, wobei 4H-SiC-Substrate am gebräuchlichsten sind. Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist die primäre Methode zum Züchten dieser SiC-Schichten. Graphit-Substrate können jedoch unter hohen Temperaturen und korrosiven Gasen abgebaut werden, was ihre Lebensdauer verkürzt und die Silizium-Chips potenziell kontaminiert.

Die SiC-Beschichtung bietet hierfür eine Lösung. Ihre Korrosionsbeständigkeit und dichte Struktur schützen das Substrat vor aggressiven Gasen. Die hohe Wärmeleitfähigkeit der Beschichtung und ihre starke Haftung am Graphit sorgen dafür, dass die Beschichtung auch bei Temperaturschwankungen intakt bleibt. Darüber hinaus verlängert die chemische Stabilität von SiC in Hochtemperatur-, korrosiven Umgebungen die Nutzbarkeit des Substrats und verbessert die Ausbeute.

Laut Unternehmen ist die Herstellung von SiC-Beschichtungen entscheidend, da ihre physikalischen und chemischen Eigenschaften direkt die Ausbeute und Lebensdauer von Halbleiterprodukten beeinflussen. Verschiedene SiC-Kristallformen werden für unterschiedliche Anwendungen verwendet, darunter 4H-SiC für Leistungshalbleiter und 3C-SiC für GaN-basierte HF-Geräte. Ningbo VET Energy Technology stellt diese Beschichtungen mit mehreren Methoden her, darunter die Einbettungsmethode und die chemische Gasphasenabscheidung.