SK Hynix bestätigt V10 NAND-Speicher mit 375 Lagen

SK Hynix hat bestätigt, dass sein V10 NAND-Flash-Speicher der nächsten Generation ein 375-lagiges Design verwenden wird, eine Steigerung gegenüber den 321 Schichten des V9-Produkts. Dies ist auch das erste NAND-Produkt des Unternehmens, das Wafer-Bonding-Technologie integriert. Der neue V10 NAND ist für KI-Infrastrukturen optimiert und bietet die 2,5-fache Leistung pro Watt im Vergleich zur Vorgängergeneration.

Das Unternehmen plant, die Massenproduktion von Enterprise-SSDs auf Basis von V10 NAND in der ersten Hälfte des Jahres 2027 zu beginnen. SK Hynix präsentierte auch V10 1Tb TLC-Wafer und zwei fertige Chipmuster: ein 32DP 2CH-Modell mit 32 NAND-Dies und eine Vierkanal-Version in einem kompakten Formfaktor.

Zusätzlich stellte das Unternehmen den UG500 vor, eine UFS 5.0-Lösung auf Basis von V9H 1Tb TLC NAND, die eine 19%ige Verbesserung der Energieeffizienz gegenüber UFS 4.1 bietet. Auch LPDDR6-Speicherchips wurden gezeigt.

SK Hynix stellte außerdem seine erste kostengünstige PCIe Gen5 QLC SSD, das PQF02, aus. Dieses Laufwerk verwendet V9 QLC NAND und ist in Kapazitäten von 1 TB und 2 TB erhältlich, wobei M.2-Formfaktoren von 2230 bis 2280 unterstützt werden.