VET Energy liefert hochreinen Graphit für die Siliziumwafer-Produktion
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. liefert hochreine Graphitkomponenten für 32-Zoll-Thermalfelder zur Herstellung von N-Typ-Siliziumwafern. Die Lösung verbessert die Siliziumqualität und Produktionskapazität erheblich.
Der chinesische Hersteller Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. hat hochreinen Graphit für den Einsatz in 32-Zoll-Thermalfeldern in der Solar- und Halbleiterindustrie entwickelt und geliefert. Diese Komponenten sind speziell für Wachstumsprozesse von N-Typ-Siliziumstäben konzipiert, die eine außergewöhnlich hohe Reinheit des Siliziums erfordern.
Der Übergang zu größeren 32-Zoll-Thermalfeldern zur Steigerung des Durchsatzes birgt erhebliche technische Herausforderungen, insbesondere bei Temperaturen über 1450°C. Herkömmliche Graphitkomponenten sind anfällig für thermische Degradation und Verformung. Darüber hinaus können Spurenverunreinigungen im herkömmlichen Graphit bei hohen Temperaturen verdampfen und das geschmolzene Silizium kontaminieren, was die Minoritätslebensdauer der resultierenden Siliziumwafer erheblich beeinträchtigt.
Die Lösung von VET Energy verwendet isostatischen Graphit, der einem Tiefenreinigungsprozess mittels Halogenierung unterzogen wird. Diese proprietäre Methode wandelt metallische Verunreinigungen in flüchtige Halogenverbindungen um, wodurch der Aschegehalt des Graphits auf 2-5 ppm reduziert wird. Zusätzlich werden kritische Komponenten mit einer Schutzschicht aus chemisch abgeschiedenem Siliziumkarbid (CVD SiC) beschichtet. Diese Beschichtung wirkt als Barriere gegen Siliziumdampf und korrosive Gase, verhindert Reaktionen mit dem Graphitsubstrat und verlängert die Lebensdauer der Komponenten.
Laut Unternehmen zeigten Feldversuche an 50 Öfen erhebliche Leistungssteigerungen. Die Minoritätslebensdauer der Siliziumwafer stieg von unter 100 μs auf über 380 μs. Die Ausbeute an Siliziumstäben verbesserte sich um 18 %, und die Lebensdauer der Thermalfeldkomponenten verlängerte sich um 30 %. Diese Verbesserungen sind entscheidend für die Steigerung der Effizienz von N-Typ-Solarzellen und die Senkung der gesamten Herstellungskosten.