Aisin kehitti 16 nm:n AI-sirun integroidulla STT-MRAM-muistilla
Autokomponenttivalmistaja Aisin on kehittänyt yhteistyössä Tohoku-yliopiston kanssa 16 nm:n tekoälysuorittimen, joka käyttää STT-MRAM-muistia energiatehokkuuden parantamiseksi.
Aisin on esitellyt 16 nanometrin prosessilla valmistetun AI SoC -sirun, jossa hyödynnetään spin-transfer torque magnetic RAM (STT-MRAM) -muistiteknologiaa. Kehitystyö toteutettiin yhteistyössä japanilaisen Tohoku-yliopiston kanssa.
Siru käyttää niin kutsuttua Near-Memory Computing (NMC) -arkkitehtuuria, johon on integroitu 32 megatavua sulautettua MRAM-muistia. Tämä mahdollistaa tekoälymallien painoarvojen ja käyttöjärjestelmän lataamisen suoraan sirulle, mikä poistaa tarpeen ulkoiselle DRAM- tai SSD-muistille laitteen käynnistyksen yhteydessä.
Suorituskykytesteissä Aisin mittasi laitteen käynnistysajan 65,7 millisekuntiin, mikä on huomattavasti nopeampi kuin perinteisissä ratkaisuissa. Lisäksi kohdetunnistukseen vaadittava energiankulutus laski 50,7 millijouleeseen per ruutu, mikä on yrityksen mukaan 50 kertaa tehokkaampi kuin perinteisissä arkkitehtuureissa.
STT-MRAM-pohjainen ratkaisu tarjoaa vaihtoehdon perinteiselle muistinhallinnalle erityisesti tekoälysovelluksissa, joissa viive ja energiatehokkuus ovat kriittisiä tekijöitä.