Applied Materials esittelee uuden EUV-litografian etsausjärjestelmän
Applied Materials on esitellyt uuden Applied Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch -järjestelmän, joka ratkaisee merkittävän haasteen EUV-litografian käyttöönotossa.
Santa Clara, Kalifornia – Applied Materials, Inc. on lanseerannut uuden Applied Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch -järjestelmän, joka pyrkii ratkaisemaan keskeisiä ongelmia EUV-litografian (Extreme Ultraviolet Lithography) käyttöönotossa. Teknologia mahdollistaa tarkempien ja virheettömien EUV-valomaskien valmistuksen, mikä on välttämätöntä seuraavan sukupolven puolijohdesirujen tuotannolle.
Uusi järjestelmä pystyy etsaamaan EUV-valomaskeja nanometrien tarkkuudella ja parannetulla virheidenhallinnalla. Tämä on kriittistä, sillä EUV-litografiassa käytetään 13,5 nanometrin aallonpituutta, jolloin valomaskien materiaalit ovat läpinäkymättömiä ja vaativat monimutkaisia peilikerroksia kuvioiden heijastamiseen. Aiemmat menetelmät eivät ole kyenneet täyttämään näitä vaatimuksia.
Applied Materialsin mukaan järjestelmä on jo toimitettu useille johtaville maskinvalmistajille. Yhtiö kertoo jatkavansa investointeja teknologioihin, jotka tukevat asiakkaitaan ja mahdollistavat seuraavan sukupolven suunnittelutasojen toteuttamisen. EUV-litografian odotetaan nopeuttavan korkean suorituskyvyn sirujen valmistusta.
Tetra EUV -järjestelmä on osa Applied Materialsin laajempaa ratkaisuvalikoimaa valomaskien ja litografiaprosessien optimointiin. Yhtiö tarjoaa myös kattavaa huolto- ja tukiverkostoa järjestelmän käyttöajan maksimoimiseksi.