Kiinan ensimmäinen 2D-puolijohdeprosessilinja käynnissä
Kiinalainen IT Home raportoi, että maan ensimmäinen 8-tuumainen 2D-puolijohteiden tuotanto-/testilinja on otettu käyttöön. Tavoitteena on saavuttaa 5 nm -tasoinen valmistus ilman EUV-litografiaa vuoteen 2029 mennessä.
Kiinalainen teknologiayritys IT Home on ilmoittanut, että maan ensimmäinen 8-tuumainen 2D-puolijohdeprosessilinja on saatu käyttöön. Tämä referenssilinja on suunniteltu ohittamaan merkittäviä haasteita perinteisessä puolijohdeteollisuudessa, tavoitteena kehittää teknologiaa ilman riippuvuutta EUV-litografiasta.
Linja, jonka rakentamisesta vastaa Yuanjijie Technology, on jo täysin toiminnallinen ja kykenevä valmistamaan piirisarjaa kokeellisesti ja kaupallisesti. Se kattaa koko prosessin materiaalien valmistuksesta piirien integrointiin. Yrityksen mukaan tämä on maailman ensimmäinen 2D-puolijohteiden tuotanto-/testilinja.
Yhtiön toimitusjohtaja Bao Wenzhongin mukaan 2D-materiaalit tarjoavat ainutlaatuisen edun, sillä niiden atomitason ohuuden ansiosta transistoreiden skaalaaminen on mahdollista ilman monimutkaisia FinFET- tai ring-gate-rakenteita. Tämä lähestymistapa voi vähentää valmistuskustannuksia ja yksinkertaistaa tuotantoprosessia.
Tavoitteena on, että vuoteen 2029 mennessä Kiina pystyy valmistamaan 5 nanometrin prosessin mukaisia puolijohteita ilman EUV-litografiaa, hyödyntäen kotimaisia ratkaisuja. Yritys on myös julkaissut uuden 500 nanometrin PDK-version (Process Design Kit) ja aloittanut valetontipalvelut. Tämä PDK tukee 2D-puolijohdesuunnittelua ja sen on kerrottu saavuttavan yli 99,99 % saanto, lähestyen piipohjaisten prosessien tasoa.