Entinen Intelin toimitusjohtaja kritisoi HBM-muistia

Entinen Intelin toimitusjohtaja Pat Gelsinger on kritisoinut korkean kaistanleveyden muistia (HBM), kutsuen sitä "huonoksi muistiksi". Gelsingerin mukaan HBM kärsii matalasta bittitiheydestä, rajoitetusta jäähdytyksestä ja niin sanotusta "ranta-alueen kaistanleveydestä", mikä muodostaa pullonkaulan muistin ja prosessorin välisessä tiedonsiirrossa.

Gelsingerin mukaan HBM:n ongelmat ovat erityisen merkittäviä tekoälyn kaltaisissa muisti-intensiivisissä laskentatehtävissä. Hän totesi, että datan keskittyminen yhteen paikkaan aiheuttaa lämpöongelmia, sillä DRAM-muistit eivät toimi korkeissa lämpötiloissa. Tämä tekee HBM:stä "katastrofaalisen" tekoälyn ja muiden muisti-intensiivisten sovellusten kannalta.

HBM-teknologiaan liittyy haasteita myös fyysisessä toteutuksessa. Korkea datamäärä vaatii paljon yhteyksiä ja mikropisteitä, mikä lisää lämpöä. Lisäksi DRAM-siruissa käytettävät pystysuuntaiset läpi-pii-liitokset (TSV) pienentävät yksittäisen sirun tallennuskapasiteettia, vaikka koko paketin tiheys neliömillimetriä kohden voi olla korkea.

Arviot viittaavat siihen, että HBM:n nykyinen arkkitehtuuri ei välttämättä ole optimaalinen tulevaisuuden vaativimpiin laskentatehtäviin, mikä voi vaikuttaa palvelin- ja datakeskusratkaisujen suunnitteluun.