GaNrich laajentaa galliumnitridikomponenttien valikoimaansa 40–1200 voltin jännitteisiin
Taiwanilainen puolijohdeyritys GaNrich on laajentanut galliumnitridipohjaisten tehokomponenttien valikoimaansa, tavoitteenaan haastaa perinteiset pii- ja piikarbidikomponentit eri teollisuudenaloilla.
Taiwanilainen GaNrich Semiconductor Corporation on tuonut markkinoille laajan valikoiman galliumnitridi-pohjaisia (GaN) tehokomponentteja, joiden jännitealue kattaa 40–1200 volttia. Yritys hyödyntää sekä piipohjaisia (GaN-on-Si) että safiiripohjaisia (GaN-on-Sapphire) valmistusalustoja tarjotakseen vaihtoehtoja sovelluksiin, jotka ulottuvat tekoälydatakeskuksista ja sähköajoneuvoista robotiikkaan.
Uuden tuotesarjan tavoitteena on korvata perinteisiä pii-pohjaisia komponentteja parantamalla kytkentänopeutta ja hyötysuhdetta. Yritys on kehittänyt tuotteita, jotka mahdollistavat suoran yhteensopivuuden olemassa olevien piikomponenttien kanssa, mikä helpottaa valmistajien siirtymistä uudempaan teknologiaan. GaNrichin mukaan 1200 voltin suuntaavat kytkinratkaisut voivat tulevaisuudessa kilpailla myös piikarbidi-pohjaisten (SiC) ratkaisujen kanssa.
GaNrich pyrkii asemoimaan itsensä vaihtoehdoksi erityisesti länsimaisille asiakkaille, jotka etsivät Kiinan ulkopuolista toimitusketjua puolijohdetuotannolle. Yritys keskittää tuotantoaan ja pakkauspalveluitaan Taiwanin ympärille. GaNrichin komponentteja on jo testattu ja validoitu tietyissä autoalan sekä teollisuuden sovelluksissa, yritys kertoo.