GaNrich laajentaa galliumnitridi-puolijohdevalikoimaansa 40–1200 voltin jännitteille

Taiwanilainen GaNrich Semiconductor Corporation on julkistanut laajan 40–1200 voltin galliumnitridi-pohjaisten (GaN) tehopuolijohteiden sarjan. Yritys hyödyntää sekä piipohjaisia että safiiripohjaisia GaN-alustoja tarjotakseen vaihtoehtoja muun muassa tekoälypalvelinkeskusten, sähköajoneuvojen ja teollisuusrobotiikan tarpeisiin.

GaN-teknologia tarjoaa perinteisiä piipohjaisia ratkaisuja korkeamman kytkentänopeuden ja pienemmät häviöt, mikä mahdollistaa komponenttien tiiviimmän integroinnin. GaNrichin uusi tuoteperhe on suunniteltu korvaamaan suoraan nykyisiä piikomponentteja, mikä helpottaa valmistajien siirtymistä uudempaan teknologiaan ilman mittavia muutoksia järjestelmien suunnitteluun.

Yritys pyrkii erottumaan globaalilla markkinalla tarjoamalla vaihtoehdon kiinalaisille toimitusketjuille. Valmistamalla ja pakkaamalla kiekot Taiwanissa sekä kehittämällä yhteistyötä muiden kansainvälisten toimijoiden kanssa, GaNrich tavoittelee vakaampaa ja diversifioidumpaa toimitusketjua erityisesti Euroopan ja Yhdysvaltojen markkinoille.

Tulevaisuudessa yritys suunnittelee myös 1200 voltin kaksisuuntaisia kytkimiä, joilla pyritään yksinkertaistamaan tehonmuunnosarkkitehtuureja entisestään. Tuotteet ovat jo saaneet validoinnin useilta teollisuuden asiakkailta, ja niiden odotetaan vakiinnuttavan asemansa vaativissa sähkönsyöttösovelluksissa.