Intel harkitsee uutta 14A2-prosessia tehonjakeluhaasteisiin

Intel harkitsee uuden 14A2-prosessin käyttöönottoa, joka on muokattu versio sen tulevasta 14A-prosessista. Tavoitteena on ratkaista edistyneiden valmistustekniikoiden mukanaan tuomia virransyöttöhaasteita, jotka liittyvät yhä pienempään transistorien väliin. Uusi prosessi saattaisi sisältää "kaksipuolisen virransyötön" tekniikan entistä tehokkaamman saatavuuden saavuttamiseksi.

Nykyinen 14A-prosessi suunniteltiin alun perin hyödyntämään takapuolen virransyöttöä (BSPDN), jossa virtalähteet siirretään waferin taakse. Tämä vapauttaisi tilaa transistorien etupuolelta, mikä lisäisi transistoritiheyttä ja parantaisi suorituskykyä. Kuitenkin 14A2-prosessissa suunniteltu alhaisemman metallikerroksen (M0) väli, noin 21 nanometriä verrattuna 14A:n 28 nanometriin, yhdessä High-NA EUV -litografian kanssa, lisää johdinresistanssia.

Koska M0-välin pienentäminen kasvattaa metallijohtimien vastusta, perinteinen takapuolen virransyöttö ei ehkä riitä toimittamaan tarvittavaa virtaa transistoreille. Tämä voisi johtaa merkittäviin jännitehäviöihin. Intelin tutkimassa ratkaisussa yhdistettäisiin takapuolen virransyöttö ja osittain etupuolen metallikerrosten käyttö lisävirransyöttöön ja kellosignaalien jakeluun. Vaikka tämä lisää suunnittelun monimutkaisuutta, se voi tasapainottaa transistoritiheyden, virransyötön ja valmistettavuuden.

14A-prosessi on keskeinen osa Intelin kilpailukykyä TSMC:n ja Samsungin edistyneitä prosesseja vastaan. Intel aikoo toimittaa 14A-prosessin PDK:n (Process Design Kit) ulkoisille asiakkaille lokakuussa 2026, ja tuotannon odotetaan alkavan vuonna 2029. Kilpailijat, kuten TSMC ja Samsung, kehittävät myös omia edistyneitä prosessejaan, mikä tekee valmistustekniikoiden jatkuvasta kehityksestä kriittistä.