MemSilicon valmisti 1 Gb RRAM-sirun "MountTai 2026"

Kiinalainen puolijohdevalmistaja MemSilicon on ilmoittanut saaneensa valmiiksi ensimmäisen 1 gigabitin (Gb) RRAM (Resistive Random-Access Memory) -sirunsa, joka tunnetaan nimellä "MountTai 2026". Siru hyödyntää 1T4R-muistirakennetta ja on valmistettu 28 nanometrin CMOS-prosessilla.

Yhtiön mukaan sirun tallennustiheys on 30 megabittiä neliömillimetriä kohden (Mb/mm²). "MountTai 2026" -siruun on integroitu myös laitteiston virheenkorjauspiiri, ja sen lukuviive on alle 20 nanosekuntia. Yhtiö on käynnistänyt sirun validoinnin.

MemSilicon on perustettu toukokuussa 2024 ja se keskittyy kehittämään ei-haihtuvia muistiratkaisuja. Yhtiön tavoitteena on ratkaista tietokoneiden muistin pullonkauloja yhdistämällä edistyneitä muistiteknologioita ja laskentaa. Yritys on jo kerännyt merkittävää rahoitusta kahdella kierroksella.

"MountTai 2026" -sirun valmistuminen on merkittävä askel yritykselle, joka pyrkii siirtymään korkean tiheyden muistiteknologian tutkimuksesta kohti kaupallisten Gb-luokan sirujen tuotantoa.