MSI:n uusi tila vähentää DDR5-muistin viivettä ilman lisäkustannuksia
MSI julkisti "High-Efficiency Mode" -tilan, joka pienentää tavallisten DDR5 EXPO -muistien viivettä merkittävästi. Uusi tila tuo suorituskyvyn lähelle kalliimpia "ULL"-muisteja.
MSI on julkaissut uuden "High-Efficiency Mode" -tilan emolevyilleen, joka vähentää standardien DDR5 EXPO -muistien viivettä ilman tarvetta ostaa kalliimpia "Ultra Low Latency" (ULL) -muisteja. Tämä ominaisuus mahdollistaa muistien suorituskyvyn parantumisen ja lähestymisen ULL-muistien tasolle.
Uuden tilan avulla tavallisten EXPO-muistien viive laskee testien mukaan 79,4 nanosekunnista 71,6 nanosekuntiin. Tämä on lähes sama kuin EXPO ULL -muistien 71,4 nanosekunnin viive. MSI:n mukaan tämä ominaisuus ei merkittävästi paranna ULL-muistien suorituskykyä, joten niitä käyttävien ei tarvitse aktivoida tilaa.
EXPO (Extended Profiles for Overclocking) on AMD:n kehittämä tekniikka, joka on suunniteltu DDR5-muistin ja AM5-alustan käyttöön. Se optimoi muistiasetuksia AMD Ryzen -suorittimille, jotta alustan potentiaali saadaan hyödynnettyä täysimääräisesti. ULL-muistit pyrkivät entisestään laskemaan viivettä säätämällä tarkemmin sekundaarisia ja tertiäärisiä ajoituksia.
MSI:n mukaan uusi High-Efficiency Mode löytyy MSI CLICK BIOS X -asetusvalikon "Overclocking"-sivulta. Käyttäjät voivat valita neljästä eri esiasetetusta profiilista: Tightest, Tighter, Balance ja Relax. Tämä ominaisuus tarjoaa budjettitietoisille rakentajille mahdollisuuden saavuttaa parempaa muistisuorituskykyä ilman kalliita komponentti-investointeja.