Nanya Technology investoi uuteen sirupakkaamoon Taiwaniin tekoälyyn
Muistipiirivalmistaja Nanya Technology investoi 3D-sirujen pakkaus- ja testauslaitokseen Pingtungin tiedepuistoon. Uusi tehdas keskittyy tekoälysovellusten vaatimiin korkean suorituskyvyn muisteihin.
Muistipiirien valmistaja Nanya Technology ilmoitti 1. lokakuuta investoivansa uuteen 3D-sirujen pakkaus- ja testauslaitokseen Pingtungin tiedepuistoon Taiwanissa. Laitos tulee hyödyntämään edistyneitä teknologioita, kuten TSV (Through-Silicon Via) ja sirujen pinoamista, varmistaakseen valmistuskyvyn kiekkojen tasoisissa (wafer-level) pakkaus- ja testausratkaisuissa.
Investoinnin tavoitteena on vastata kasvavaan kysyntään korkean suorituskyvyn ja kaistanleveyden muisteista, joita tekoälysovellusten nopea kehitys edellyttää. Uuden laitoksen odotetaan keskittyvän "HBM-tyyppisiin" muistiratkaisuihin, joita käytetään suurteholaskennassa ja tekoälykiihdyttimissä.
Nanya Technology on yksi maailman suurimmista DRAM-muistipiirien valmistajista. Tällä investoinnilla yhtiö pyrkii vahvistamaan asemaansa muistiteknologian eturintamassa ja vastaamaan markkinoiden muuttuviin vaatimuksiin. Laitoksen rakentaminen on osa yhtiön pitkän aikavälin kasvustrategiaa.