Paras Semiconductors investoi 6 200 miljardia rupiaa piisirutehtaaseen Intiassa

Paras Semiconductors Private Limited, Paras Defence and Space Technologies Ltd:n tytäryhtiö, suunnittelee investoivansa noin 6 200 miljardia rupiaa (noin 745 miljoonaa dollaria) uuteen puolijohdepakkaus- ja testauslaitokseen (OSAT) Madhya Pradeshin osavaltiossa Intiassa.

Laitos, joka rakennetaan Indore-Ujjainin alueelle, keskittyy kehittyneisiin integroitujen piirien (IC) pakkaus-, kokoonpano- ja testauspalveluihin. Hankkeesta sovittiin yhteisymmärryspöytäkirjassa (MoU) Madhya Pradeshin osavaltion elektroniikkakehitysyrityksen (MPSeDC) kanssa, ja se on osa Intian laajempaa strategiaa vahvistaa kotimaista puolijohdeteollisuutta.

Investointi tähtää useiden edistyneiden teknologioiden hyödyntämiseen, mukaan lukien 3D-heterogeeninen integraatio, 2.5D- ja 3D-pakkausratkaisut, sirupaleteknologiat ja erittäin suuren tiheyden fan-out -pakkaus. Nämä teknologiat ovat välttämättömiä tekoälyn, autonomisten ajoneuvojen, datakeskusten ja tietoliikenteen vaatimien suorituskykyisten sirujen valmistuksessa.

Projekti edustaa merkittävää askelta kohti Intian puolijohdeketjun laajentamista perinteisten valmistuskeskusten ulkopuolelle. Madhya Pradeshin hallitus tukee hanketta muun muassa maankäytön järjestelyillä. Laitos tukee Intian pyrkimyksiä luoda kotimainen puolijohdevalmistuskapasiteetti sirusuunnittelusta ja valmistuksesta aina kehittyneeseen pakkaamiseen ja testaukseen asti.

OSAT-laitoksen odotetaan vahvistavan Intian puolijohdehuoltoketjun häiriönsietokykyä, edistävän teknologian kumppanuuksia ja luovan korkeasti koulutettuja työpaikkoja. Se vastaa globaaliin kasvavaan kysyntään puolijohteille, erityisesti tekoälyyn, pilvilaskentaan ja sähköajoneuvoihin liittyen.