RaidSonic siirtyy galliumnitridipohjaisiin latausratkaisuihin

RaidSonic Technology GmbH on laajentanut tuotevalikoimaansa hyödyntämällä galliumnitridiä (GaN) virtalähdeteknologiassaan. Perinteisiin piipohjaisiin latureihin verrattuna GaN-teknologia mahdollistaa komponenttien tiiviimmän sijoittelun ja parantaa energiatehokkuutta. Yrityksen mukaan GaN-pohjaiset ratkaisut voivat vähentää sähkönkulutusta jopa 20 prosenttia latausprosessin aikana.

Uusi IB-PS104-PD-malli edustaa yhtiön siirtymää tähän teknologiaan. Neljän portin laturi hyödyntää Power Delivery 3.0 -standardia ja kykenee tarjoamaan jopa 100 watin tehon kannettaville tietokoneille ja mobiililaitteille. Kompaktin koon ansiosta laite on suunnattu erityisesti matkustaville käyttäjille.

Markkinatutkimuslaitos TrendForcen ennusteiden mukaan GaN-pohjaisten laturien osuus uusista tuotannoista kasvaa yli 50 prosenttiin vuoteen 2025 mennessä. Siirtymä pii-pohjaisista komponenteista GaN-materiaaliin vastaa laajempaa pyrkimystä energiatehokkaampiin ja kompaktimpiin kulutuselektroniikan lisälaitteisiin.