RaidSonic omaksuu galliumnitriditeknologian latauslaitteissa

RaidSonic Technology GmbH on alkanut hyödyntää galliumnitridiä (GaN) uusissa energiatuotteissaan, pyrkimyksenään tarjota asiakkailleen pienempiä ja tehokkaampia latausratkaisuja.

Galliumnitridi on puolijohdemateriaali, jonka käyttö elektroniikassa on kasvanut 90-luvulta lähtien. Vaikka se on jo yleinen esimerkiksi LED-valoissa ja Blu-ray-soittimissa, sen potentiaali latauslaitteissa on vasta nyt tulossa laajempaan käyttöön. Perinteisissä latureissa käytetty pii ei enää kykene vastaamaan nykyaikaisten laitteiden vaatimuksiin nopeasta ja tehokkaasta latauksesta.

GaN-teknologia mahdollistaa aiempaa pienempikokoiset laturit, koska se vaatii vähemmän komponentteja verrattuna piipohjaisiin laitteisiin. Materiaalin korkeampi band gap -tehokkuus mahdollistaa virran nopeamman johtumisen, mikä on välttämätöntä uusille standardeille, kuten USB-C:lle. Tämä tarkoittaa käyttäjille nopeampaa latausaikaa verrattuna vanhempiin USB-A-liitäntöihin.

Energiatehokkuuden lisäksi GaN-laturit tuottavat vähemmän lämpöä, mikä edelleen vähentää energiahukkaa. Yhtiön mukaan uudet GaN-laturit voivat säästää jopa 20 prosenttia sähköä verrattuna perinteisiin piilatureihin. RaidSonic esittelee mallia IB-PS104-PD, joka on neliliitäntäinen pistoke, joka tukee 100 W Power Delivery 3.0 -standardia.

Alan ennusteiden mukaan GaN-laturien osuuden uusista latauslaitteista odotetaan nousevan yli 50 prosenttiin vuoteen 2025 mennessä, mikä osoittaa teknologian merkittävän kasvun potentiaalin tulevaisuudessa.