Chalmersin tutkijat kehittivät uuden tavan mallintaa puolijohdemateriaalien virheitä

Perinteinen puolijohdemateriaalien mallintaminen perustuu usein absoluuttiseen nollapisteeseen, mikä ei vastaa materiaalien käyttäytymistä todellisissa käyttöympäristöissä. Chalmersin teknillisen korkeakoulun tutkijat ovat esitelleet uuden laskentakehyksen, joka mahdollistaa virheiden tarkan analysoinnin eri lämpötiloissa.

Tutkimusryhmä hyödyntää koneoppimista laskentaprosessin tehostamiseen. Tämä mahdollistaa sellaisten atomitason poikkeamien seurannan, jotka vaikuttavat materiaalien sähköisiin ominaisuuksiin, kuten puolijohteiden energiarakoihin. Professori Julia Wiktorin johtama ryhmä on osoittanut, että virhetasot voivat siirtyä merkittävästi lämpötilan noustessa, mikä muuttaa materiaalin teknistä suorituskykyä.

Menetelmä on julkaistu npj Computational Materials -lehdessä. Uusi lähestymistapa auttaa tutkijoita ymmärtämään, miten materiaalien viat vaikuttavat niiden toimivuuteen käytännön sovelluksissa, kuten aurinkokennoteknologiassa.