Samsung nopeuttaa Pyeongtaek P5 -tehtaan DRAM-tuotantolinjan rakentamista

Samsung Electronics on vauhdittanut Pyeongtaekin P5-tehtaan PH1-vaiheen DRAM-muistin tuotantolinjan rakentamista, paikalliset mediaraportit kertovat. Yhtiö aloitti tämän vuosineljänneksen aikana puhdastilojen rakentamisen, mikä on aikataulua edellä.

Arvioiden mukaan puolijohdevalmistuslaitteiden käyttöönotto tapahtuisi heinä-elokuussa 2027. Huhujen mukaan Samsung on kuitenkin pyytänyt laitteiden toimitusta jo touko-kesäkuussa 2027, ja jopa halunnut vastaanottaa laitteet ensi vuoden ensimmäisellä neljänneksellä varastointia varten. Tämä viittaa yhtiön vahvaan haluun investoida P5-projektiin ennakoivasti.

Samanaikaisesti Samsung neuvottelee kumppaneidensa kanssa P5-tehtaan PH2-vaiheen muuttamisesta huippuluokan NAND-flash-muistin tuotantolinjaksi. Laitteiden toimitusaikojen pidentymisen vuoksi Samsung on pyytänyt kumppaneitaan valmistelemaan tarvittavia komponentteja etukäteen.

Muutokset tuotantolinjojen suunnitelmissa heijastavat valmistajien pyrkimystä sopeutua muuttuviin markkinavaatimuksiin ja varmistaa toimitusketjujen vakaus globaalien toimitusvaikeuksien keskellä.