Samsung Electronics yhdistää DRAM-valmistusta tehokkuuden parantamiseksi

Samsung Electronics yhdistää yleisten DRAM-muistien jälkikäsittelylaitoksiaan Hwaseongissa tavoitteenaan lyhentää tuotantosykliä ja lisätä todellista tuotantokapasiteettia, kertoo paikallinen media.

Yhtiön aiempi järjestely hajautti Hwaseongin DRAM-etupään valmistusprosessien jälkikäsittelyn Hwaseongin H2-tehtaalle ja läheiseen Cheonanin kampukseen. Tämä hajautus vähensi tuotannon tehokkuutta verrattuna Pyeongtaekin kampukseen, jossa sekä etu- että jälkikäsittelyt sijaitsevat samalla alueella.

Uusi suunnitelma keskittää jälkikäsittelytoiminnot uudelleen Hwaseongin H1-tehtaalle. Tämä tehdas, jossa vanhempia tuotantolinjoja on jo purettu, mahdollistaa olemassa olevien puhdastilojen hyödyntämisen, mikä lyhentää uusien tilojen rakennusaikaa.

Tilojen uudelleenjärjestelyn odotetaan paitsi nopeuttavan tuotantoa myös vapauttavan tilaa tuotantolinjojen laajentamiselle, mikä lisää entisestään Samsungin DRAM-muistien kokonaiskapasiteettia.