Samsung Electronics kehittää tekoälyyn optimoitua NAND-muistia

Samsung Electronics on kehittämässä uusia NAND-muistiratkaisuja, jotka on räätälöity tekoälytyökuormien vaatimuksiin. Uutislähde ZDNET Korea raportoi, että yhtiö työstää zNAND-T ja zNAND-I -muisteja täydentämään aiemmin julkistettua zNAND-O -mallia.

zNAND-T, jonka "T" viittaa läpimenoon (Throughput), on suunniteltu optimoimaan datakeskusten tekoälypiirien luku- ja kirjoituskaistanleveyttä. Tämä muistityyppi käyttää TSV-pinottuja NAND-piirejä parantaakseen suorituskykyä vaativissa dataympäristöissä.

Vastaavasti zNAND-I, jossa "I" viittaa IOPS-suorituskykyyn (Input/Output Operations Per Second), keskittyy satunnaisten luku- ja kirjoitusoperaatioiden tehostamiseen. Tämä on hyödyllistä sovelluksissa, joissa käsitellään pieniä datamääriä jatkuvasti, kuten KV Cache -purkuoperaatioissa.

Nämä kolme zNAND-mallia edustavat siirtymää yleiskäyttöisistä NAND-muisteista kohti erikoistuneempia ratkaisuja, jotka on optimoitu vastaamaan tiettyjen sovellusten, erityisesti tekoälyn, kasvaviin vaatimuksiin.