Samsung käyttää TSMC:n 3nm-prosessia Nvidian HBM-piireihin
Samsung Electronics käyttää Nvidian uusien HBM-muistipiirien valmistukseen TSMC:n 3 nanometrin valmistusteknologiaa, joka valmistaa piirien pohjalohkot. Muutos poikkeaa Samsungin aiemmasta tavasta valmistaa kaikki HBM-komponentit itse.
Samsung Electronics aikoo hyödyntää Taiwan Semiconductor Manufacturing Companyn (TSMC) 3 nanometrin valmistusprosessia tuottaakseen seuraavan sukupolven NVIDIA High Bandwidth Memory (HBM) -piirien pohjalohkot. Tämästrategianmuutos merkitsee poikkeamaa Samsungin aiemmasta käytännöstä, jossa se on valmistanut sekä HBM-piirien ydinlohkot että niitä tukevat pohjalohkot itse.
NVIDIA on pyytänyt HBM-toimittajiaan, mukaan lukien Samsung, SK Hynix ja Micron, valmistamaan pohjalohkot TSMC:n 3nm-prosessilla. Ydinlohkojen osalta NVIDIA on vaatinut kuudennen sukupolven DRAM-prosessin käyttöä. Tavoitteena on varmistaa yhdenmukainen suorituskyky eri toimittajien välillä ja vähentää tuotehyväksyntäprosesseihin liittyvää työmäärää.
Samsungin Device Solutions -divisioona on arvioinut NVIDIAn vaatimukset ja päättänyt hyväksyä ne pohjalohkojen valmistukseen. Vaikka tämä muutos koskee NVIDIAn räätälöityjä HBM-piirejä, Samsung jatkaa edelleen omien standardi HBM-tuotteidensa, kuten HBM4 ja tulevan HBM4E -versioiden, valmistusta omilla 4 nanometrin prosesseillaan.
Samsung tutkii myös mahdollisuutta valmistaa NVIDIAn NVHBM-pohjalohkoja omilla tuotantolinjoillaan. Tämä on varasuunnitelma siltä varalta, että NVIDIAn kysyntä ylittää TSMC:n tuotantokapasiteetin tai Samsung haluaa varmistaa oman tuotantokykynsä tulevaisuudessa.