SK Hynix ennustaa: Tekoälyn infrastruktuurin suorituskyky kasvaa 20-kertaiseksi vuoteen 2030 mennessä

SK Hynixin kehitysjohtaja Ahn Hyun ennusti Soulissa järjestetyssä tapahtumassa, että tekoälyn infrastruktuurin suorituskyvyn mittakaava kasvaa noin 20-kertaiseksi vuoteen 2030 mennessä.

Kasvuun vaikuttavat tekoälyn päättelytehtävien monimutkaisuuden lisääntyminen, käsiteltävän tiedon määrän kasvu ja päättelypyyntöjen räjähdysmäinen kasvu. Nämä tekijät yhdessä kiihdyttävät tekoälylaskennan infrastruktuurin kysynnän voimakasta kasvua.

Muistien rooli tiedon tallennuksessa ja siirrossa korostuu tekoälyn päättelytarpeiden kasvaessa. Erityisesti "avain-arvo-välimuistin" (KV Cache) kapasiteetin kasvu vaatii datan hajauttamista eri muistivälineisiin, kuten HBM:ään, DRAM:iin ja SSD-levyihin. Tämän datasiirron pullonkaulat vaikuttavat suorituskykyyn ja lisäävät energiankulutusta.

SK Hynix kehittää uusia muistiteknologioita, kuten 3D-pinottua DRAM:ia ja korkean kaistanleveyden flash-muistia (HBF), vastatakseen kasvavaan kysyntään. 3D-pinottu DRAM integroidaan suoraan logiikkasiruihin, mikä parantaa suorituskykyä ja vähentää energiankulutusta. HBF tuo NAND-flash-muistiin HBM:n kaltaisia ominaisuuksia, tavoitteena 50 prosenttia HBM:n kaistanleveydestä ja kymmenkertaistunut kapasiteetti.