SK Hynix käynnistää uudelleen Dalianin tehtaansa NAND-siruille

SK Hynix suunnittelee käynnistävänsä uudelleen Dalianin toisen tehtaansa laajennushankkeen, jonka on määrä tuottaa 238-kerroksisia NAND-muistisiruja. Viime vuonna keskeytynyt projekti käynnistyy uudelleen tämän vuoden loppupuolella laitteiden siirrolla.

Tehtaan on määrä ottaa käyttöön uusia tuotantolinjoja vaiheittain ensi vuoden alkupuolella. Vanhoja laitteita on jo päivitetty Dalianin ensimmäisessä tehtaassa 192-kerroksisia NAND-siruja varten.

Dalianin toista tehdasta pidetään SK Hynixin nopeimpana paikkana kapasiteetin kasvattamiseen. Hankkeen uudelleenkäynnistys tukee yhtiön pyrkimyksiä vastata kasvavaan NAND-muistin kysyntään, jota kiihdyttää tekoälykeskusten yleistyminen.

Lisääntynyt kysyntä tekoälypalveluissa on ajanut myös DRAM-muistien kysyntää. SK Hynix on jo tehnyt merkittäviä lisäinvestointeja Dalianin tehtaisiinsa, ja uusi 238-kerroksinen NAND-tuotantolinja on suunniteltu tuottamaan 30 000–50 000 kiekkoa kuukaudessa.