Applied Materials lance un système de gravure pour photomasques EUV

Santa Clara, Californie – Applied Materials, Inc. a présenté son système Applied Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch, conçu pour surmonter un obstacle important à l'adoption de la lithographie EUV (Extreme Ultraviolet). Ce système vise à permettre la gravure précise de photomasques EUV avec une exactitude au niveau nanométrique et des performances améliorées en matière de défauts, une étape cruciale pour la fabrication de puces semi-conductrices de nouvelle génération.

La nouvelle technologie relève les défis uniques liés à la gravure de nouveaux matériaux et de structures multicouches complexes nécessaires aux masques EUV. Contrairement aux masques conventionnels qui transmettent la lumière, la lithographie EUV utilise une longueur d'onde de 13,5 nm où les matériaux sont opaques, nécessitant des couches de miroirs réfléchissants pour projeter les motifs. Le système Tetra EUV est conçu pour répondre aux spécifications strictes de précision des motifs, de finition de surface et de défauts, essentielles pour obtenir des rendements élevés en lithographie par réflexion.

Applied Materials rapporte que plusieurs systèmes ont déjà été installés chez des fabricants de masques de premier plan. L'entreprise a déclaré qu'elle continuait d'investir dans des technologies qui soutiennent ses clients et permettent les nœuds de conception de nouvelle génération, anticipant que la lithographie EUV accélérera la production de puces haute performance.

Le système Tetra EUV fait partie de la suite complète de solutions d'Applied Materials pour optimiser les opérations de photomasques et de lithographie. L'entreprise fournit également un service et un support mondiaux étendus pour maximiser la disponibilité des systèmes pour ses clients.