Un ancien vice-président de Samsung condamné à la prison pour fuite de secrets commerciaux

La Haute Cour de Séoul a rejeté l'appel d'Ahn Seung-ho, ancien responsable du centre de propriété intellectuelle de Samsung Electronics, et a maintenu sa condamnation à trois ans d'emprisonnement. Ahn a été placé en détention immédiate à l'issue de l'audience.

L'affaire concerne un litige sur des brevets dans lequel Ahn représentait le fabricant américain d'équipements audio Tekiya contre Samsung. Ahn a utilisé des documents internes confidentiels, détaillant les stratégies de défense et les évaluations de brevets de Samsung, afin de favoriser ses positions lors des négociations. La justice a estimé que ces informations possédaient une valeur économique propre et ne devaient pas être divulguées.

Le tribunal a conclu qu'Ahn avait délibérément exploité des vulnérabilités au sein des systèmes de Samsung et incité des employés actuels à lui transmettre ces rapports. Deux autres anciens employés, impliqués dans la fuite de données, ont vu leurs peines alourdies à trois et quatre ans de prison et ont également été incarcérés.

La plainte initiale déposée aux États-Unis avait été rejetée après la découverte de l'utilisation illicite de documents internes par la société de gestion de brevets d'Ahn, Synergy IP. Ce verdict marque une étape significative dans la protection des données stratégiques face aux anciens dirigeants.