GaNrich étend son portefeuille de composants en nitrure de gallium de 40 à 1200 volts
Le fabricant taïwanais GaNrich diversifie son offre de semi-conducteurs en nitrure de gallium pour les marchés des data centers et de l'automobile.
La société GaNrich Semiconductor Corporation a annoncé l'élargissement de sa gamme de composants de puissance au nitrure de gallium (GaN), couvrant désormais une plage de tension allant de 40 à 1200 volts. S'appuyant sur des plateformes GaN-on-Si et GaN-on-Sapphire, l'entreprise cible des secteurs à haute performance comme les centres de données dédiés à l'intelligence artificielle, les véhicules électriques et la robotique.
L'objectif de cette expansion est de proposer des alternatives aux composants traditionnels au silicium, en améliorant la densité de puissance et l'efficacité thermique. GaNrich mise sur une compatibilité directe avec les composants standards existants pour faciliter l'adoption technologique par les concepteurs de systèmes. En parallèle, le développement d'une solution de commutation bidirectionnelle à 1200V est en cours afin de concurrencer les technologies à base de carbure de silicium (SiC).
GaNrich cherche à se distinguer par une chaîne d'approvisionnement indépendante, en concentrant ses capacités de production et d'assemblage à Taïwan. La société a confirmé que ses produits ont reçu une validation technique auprès de plusieurs clients internationaux opérant dans les secteurs automobile et industriel.