GaNrich élargit sa gamme de semi-conducteurs en nitrure de gallium
GaNrich Semiconductor lance une gamme de composants de puissance au GaN couvrant 40V à 1200V, visant les secteurs de l'IA et de l'automobile.
La société taïwanaise GaNrich Semiconductor Corporation a annoncé l'extension de son portefeuille de composants de puissance en nitrure de gallium (GaN), couvrant désormais une plage de tension allant de 40V à 1200V. En utilisant des plateformes GaN-sur-Si et GaN-sur-Saphir, l'entreprise cible des applications à haute performance, notamment les centres de données dédiés à l'IA, les systèmes de stockage d'énergie et les véhicules électriques.
Le marché des semi-conducteurs cherche à remplacer les composants en silicium traditionnels par le GaN pour améliorer l'efficacité énergétique et la compacité des systèmes. GaNrich facilite cette transition en proposant des composants conçus comme des remplacements directs (pin-to-pin) pour les solutions en silicium existantes, permettant ainsi aux fabricants d'intégrer cette technologie sans refonte majeure de leurs circuits.
Sur le plan stratégique, GaNrich se présente comme une alternative pour les entreprises souhaitant diversifier leurs chaînes d'approvisionnement en dehors de l'écosystème chinois. En s'appuyant sur des ressources de production basées à Taïwan et des partenariats internationaux, le fournisseur cherche à répondre aux besoins des marchés européen et nord-américain. Plusieurs de ses produits ont d'ores et déjà été validés par des clients internationaux.