GaNrich élargit son portefeuille de semi-conducteurs au nitrure de gallium de 40 à 1200V
La société taïwanaise GaNrich Semiconductor Corporation lance une nouvelle gamme de composants de puissance au nitrure de gallium couvrant une plage de 40 à 1200 volts.
GaNrich Semiconductor Corporation, entreprise basée à Taïwan, a annoncé l'élargissement de sa gamme de semi-conducteurs de puissance au nitrure de gallium (GaN) pour couvrir une plage de tension allant de 40 à 1200 volts. Ces composants sont destinés aux secteurs des centres de données pour l'IA, des véhicules électriques, de la robotique et du stockage d'énergie.
En utilisant des plateformes GaN-sur-Silicium et GaN-sur-Saphir, GaNrich propose des dispositifs offrant des vitesses de commutation élevées et des pertes de conduction réduites. Ces produits sont conçus pour être compatibles avec les systèmes basés sur le silicium existants, permettant aux clients de mettre à niveau leurs architectures sans refonte complexe. L'intégration de drivers de grille au sein des boîtiers contribue également à simplifier la conception des circuits électroniques.
GaNrich cherche par ailleurs à s'imposer comme une alternative aux chaînes d'approvisionnement actuellement concentrées en Chine. En consolidant ses capacités de production et d'emballage à Taïwan, tout en collaborant avec des partenaires internationaux, l'entreprise vise à offrir une solution d'approvisionnement diversifiée pour les marchés européen et nord-américain.
Le fabricant prévoit également le lancement prochain d'un commutateur bidirectionnel de 1200 volts destiné aux architectures de conversion de puissance à un seul étage. Plusieurs de ces nouveaux composants ont d'ores et déjà été validés par des clients industriels, confirmant leur fiabilité pour les applications de conversion AC-DC et DC-DC.