Hua Hong Semiconductor : 3ème génération de plateforme eFlash 90nm en production de masse

Hua Hong Semiconductor Ltd, l'un des principaux fondeurs mondiaux spécialisés, a annoncé le lancement en production de masse de sa plateforme de processus eFlash (mémoire flash embarquée) de 90 nm de troisième génération. Cette réalisation souligne l'innovation continue de l'entreprise et sa compétitivité accrue dans le secteur de la mémoire non volatile embarquée (eNVM).

La nouvelle plateforme eFlash 90 nm réduit la taille des cellules flash de près de 40 % par rapport à la génération précédente, établissant ainsi une nouvelle référence mondiale pour la technologie flash embarquée à ce nœud de processus. La taille réduite des cellules se traduit par des dimensions de puce globales plus petites, permettant ainsi d'augmenter le nombre de puces par tranche (wafer). De plus, un processus de fabrication simplifié avec moins de couches de masques a permis de raccourcir les cycles de production tout en maintenant une fiabilité élevée, offrant 100 000 cycles d'écriture/effacement et une rétention de données de 25 ans.

Hua Hong Semiconductor a introduit avec succès trois générations de ses plateformes de processus eFlash 90 nm, en se concentrant sur la fourniture de solutions rentables sans compromettre son leadership technologique. La production de masse stable de cette dernière génération assure un support continu pour des applications critiques telles que les cartes à puce, les puces de sécurité (y compris les cartes SIM, les Ukeys et les cartes de transport) ainsi que divers produits microcontrôleurs.

"En tant que leader de la technologie eNVM, Hua Hong Semiconductor continuera de se concentrer sur la recherche et le développement de technologies différenciées de 200 mm", a déclaré Dr. Kong Weiran, Vice-président exécutif de Hua Hong Semiconductor. "Notre objectif est de répondre aux marchés des cartes à puce à haute densité et des microcontrôleurs haut de gamme en offrant des optimisations significatives en termes de consommation d'énergie et de taille de puce. Nous étendons également notre avantage technologique existant de 200 mm à 300 mm, afin de mieux servir les maisons de conception nationales et internationales et de répondre aux demandes évolutives du marché."