Kioxia commence l'échantillonnage de sa mémoire NAND BiCS FLASH 1 Tb de 9e génération
Kioxia a annoncé le début de l'expédition d'échantillons pour son dispositif de mémoire TLC (Triple-Level Cell) de 1 térabit (Tb), intégrant la technologie BiCS FLASH 3D NAND de neuvième génération de l'entreprise.
La société japonaise de technologie de mémoire Kioxia a annoncé avoir débuté l'expédition d'échantillons de son dispositif de mémoire TLC (Triple-Level Cell) de 1 térabit (Tb), utilisant la technologie BiCS FLASH 3D NAND de neuvième génération de l'entreprise. Cette nouvelle puce mémoire intègre une architecture de empilement de 230 couches.
Contrairement aux précédents échantillons BiCS9 512Gb TLC, la nouvelle puce TLC 1 Tb utilise la même technologie CMOS que la future génération BiCS10. Cela permet une vitesse d'interface NAND de 4,8 Gb/s. Kioxia indique que le BiCS FLASH de neuvième génération est conçu pour prendre en charge les applications nécessitant de hautes performances et une efficacité énergétique pour les besoins de stockage de capacité moyenne à faible.
L'entreprise prévoit également de développer des produits BiCS FLASH à 332 couches pour répondre aux futures exigences en matière de solutions à haute capacité et haute performance.