MemSilicon achève la fabrication de la puce RRAM 1 Gb "MountTai 2026"

La société chinoise de semi-conducteurs MemSilicon a annoncé l'achèvement de la fabrication de sa première puce de mémoire vive résistive (RRAM) de 1 gigabit (Gb), nommée "MountTai 2026". La puce utilise une structure de mémoire 1T4R et est fabriquée à l'aide d'un procédé CMOS de 28 nanomètres (nm).

L'entreprise a indiqué que la puce atteint une densité de stockage de 30 mégabits par millimètre carré (Mb/mm²). La puce "MountTai 2026" intègre également un circuit de correction d'erreurs matériel sur puce et offre une latence d'accès inférieure à 20 nanosecondes (ns). La validation de la puce est actuellement en cours.

MemSilicon, fondée en mai 2024, se concentre sur le développement de solutions de mémoire non volatile avancées pour résoudre les goulots d'étranglement informatiques. L'entreprise a obtenu un financement significatif en deux rondes depuis sa création.

La fabrication réussie de "MountTai 2026" représente une avancée clé pour MemSilicon, faisant progresser la technologie de mémoire à haute densité de la recherche vers la réalisation de produits à l'échelle du gigabit.