RaidSonic Adopte le Nitrure de Gallium pour une Charge Plus Rapide

RaidSonic Technology GmbH intègre le nitrure de gallium (GaN) dans ses produits de charge, améliorant les vitesses de charge et la miniaturisation des appareils.

Historiquement, le silicium a été le principal matériau semi-conducteur dans les alimentations, mais ses avancées technologiques ont atteint un plateau. Le GaN offre des avantages significatifs, notamment une efficacité accrue dans la conduction électrique et la nécessité de moins de composants. Cela se traduit par des chargeurs plus petits et plus performants.

La technologie GaN permet une exploitation complète des standards de charge rapide, tels que l'USB-C. Les utilisateurs peuvent charger leurs appareils compatibles plus rapidement par rapport aux anciennes connexions USB-A. De plus, les chargeurs GaN génèrent moins de chaleur, ce qui économise de l'énergie et peut entraîner jusqu'à 20 % d'économies d'énergie par rapport aux chargeurs à base de silicium.

Bien que les chargeurs GaN ne soient pas encore largement répandus, les prévisions de l'industrie suggèrent qu'ils représenteront plus de 50 % de la production de nouveaux chargeurs d'ici 2025. Les offres de RaidSonic, telles que l'IB-PS104-PD, comprennent des chargeurs muraux multi-ports prenant en charge la norme Power Delivery 3.0, dotés de ports USB Type-C et Type-A, avec une flexibilité d'adaptateur supplémentaire pour les voyages.