RaidSonic Technology GmbH adopte la technologie au nitrure de gallium (GaN) pour ses chargeurs

RaidSonic Technology GmbH enrichit sa gamme de produits en adoptant la technologie au nitrure de gallium (GaN) pour ses chargeurs les plus récents, dans le but de proposer des solutions de charge plus compactes et plus performantes. Le GaN représente une avancée significative par rapport aux composants traditionnels à base de silicium.

Le nitrure de gallium, un semi-conducteur cristallin, a connu une utilisation croissante dans l'électronique depuis les années 1990, initialement dans des applications telles que les LED et les panneaux solaires. Son application s'étend désormais aux adaptateurs secteur, où le silicium a historiquement été le matériau dominant. Cependant, la technologie d'alimentation basée sur le silicium a atteint ses limites de développement.

L'avantage principal du GaN par rapport au silicium réside dans sa capacité à augmenter la densité de puissance. Les composants GaN nécessitent moins d'espace, ce qui permet de concevoir des chargeurs nettement plus compacts. De plus, le GaN offre une meilleure efficacité de bande interdite, permettant au courant de circuler plus rapidement. Ceci facilite des vitesses de charge plus rapides, particulièrement importantes pour les appareils modernes utilisant des technologies comme l'USB-C, par rapport aux anciens ports USB-A.

Au-delà de la taille et de la vitesse, la technologie GaN génère également moins de chaleur en fonctionnement grâce à son efficacité, réduisant ainsi davantage les pertes d'énergie. RaidSonic indique que les chargeurs GaN peuvent permettre jusqu'à 20% d'économie d'énergie par rapport aux adaptateurs en silicium conventionnels. L'entreprise met en avant son modèle IB-PS104-PD, une prise à quatre ports dotée de la technologie Power Delivery 3.0 de 100W.

Une étude de TrendForce prédit que les chargeurs GaN représenteront plus de 50 % des chargeurs nouvellement fabriqués d'ici 2025, ce qui témoigne d'une transition industrielle notable vers cette technologie semi-conductrice plus avancée.