Rapport : Les tranches DRAM 1b coûtent 54 % de plus que le N2 de TSMC par mm²
Un nouveau rapport indique que les tranches DRAM 1b coûtent 54 % de plus par millimètre carré que les tranches N2 avancées de TSMC. La pénurie persistante de mémoire entraîne ces disparités de coûts.
Le coût des tranches DRAM 1b a atteint 0,654 dollar par millimètre carré, soit une prime de 54 % par rapport aux tranches N2 de TSMC, qui coûtent 0,424 dollar par millimètre carré, selon des données récentes de la société d'analyse sud-coréenne Kernel Insight. La désignation 1b fait référence aux DRAM fabriquées à l'aide d'un nœud de processus inférieur à 10 nanomètres, essentiel pour la production de modules de mémoire DDR5, en particulier les variantes à haute capacité.
Cette différence de coût est remarquable car le processus de fabrication du DRAM 1b est moins complexe que celui du nœud N2 de TSMC, qui implique des techniques avancées telles que la multi-patterning et la lithographie par ultraviolets extrêmes (EUV). Généralement, des processus de fabrication plus simples entraînent des coûts unitaires plus bas.
Les analystes du secteur attribuent cette anomalie de prix principalement à une pénurie mondiale persistante de DRAM génériques. L'augmentation de la demande de serveurs d'IA, qui nécessitent de la mémoire à large bande passante (HBM) et des modules DDR5 de grande capacité, dépasse les efforts d'expansion de la production des trois principaux fabricants de mémoire.
La structure de prix actuelle ne devrait pas se normaliser à court terme. Les dirigeants s'attendent à une nouvelle hausse des prix au moins jusqu'au milieu de 2027, tandis que les acteurs majeurs comme SK Hynix continuent d'investir dans la production de mémoire de nouvelle génération.