Développement d'un modèle de calcul pour les défauts dans les semi-conducteurs

Les méthodes de modélisation traditionnelles pour les défauts des matériaux se basent généralement sur une température de zéro Kelvin. Cette approche ne reflète cependant pas les conditions réelles d'utilisation des composants électroniques. Des chercheurs de l'Université de technologie de Chalmers proposent une nouvelle approche intégrant les effets de la température.

Grâce à l'apprentissage automatique, l'équipe dirigée par la professeure Julia Wiktor a pu optimiser des calculs auparavant trop complexes. Leurs travaux, publiés dans npj Computational Materials, démontrent que les niveaux d'énergie associés aux défauts atomiques varient de manière significative en fonction de la température, ce qui affecte directement les propriétés électriques des semi-conducteurs.

Cette avancée offre une meilleure précision pour la conception de nouveaux matériaux, notamment dans le secteur de l'énergie solaire. Le cadre de calcul permet désormais d'observer l'évolution des défauts sur une large plage thermique, offrant une vision plus réaliste des performances des matériaux en conditions opérationnelles.