Samsung Electronics consolide sa production DRAM pour plus d'efficacité

Samsung Electronics intègre ses installations de fabrication de mémoire DRAM générique à Hwaseong, dans le but de réduire les temps de cycle de production et d'augmenter le rendement réel, selon les médias locaux.

Auparavant, les processus backend pour la DRAM fabriquée dans l'installation de front-end à Hwaseong étaient répartis entre l'usine H2 de Hwaseong et le campus voisin de Cheonan. Cette décentralisation aurait entraîné une efficacité de production plus faible par rapport à son campus de Pyeongtaek, où coexistent des installations de front-end et de back-end.

L'entreprise prévoit de créer une installation de production backend centralisée dans l'usine H1 de Hwaseong, qui abritait auparavant d'anciennes lignes de production aujourd'hui démantelées. Cette approche réutilisera l'espace existant de salle blanche, réduisant ainsi la durée de construction de la nouvelle configuration.

La consolidation devrait non seulement accélérer le processus de fabrication, mais aussi libérer de l'espace pour des expansions potentielles de lignes de production, augmentant ainsi davantage la capacité globale de Samsung en matière de mémoire DRAM.